半导体激光器在光通信、抽运光源、激光表明与医疗、工业加工、灯光监控等领域具有普遍的应用于。随着下游应用领域的大大扩展，半导体激光器也将面临更加低的拒绝。
那么，在半导体激光器的研发生产过程中，哪些技术尤为关键呢？结构设计优化高功率半导体激光器的发展与其外延与芯片结构的研究设计密切涉及。结构设计是高功率半导体激光器器件的基础。半导体激光器的三个基本原理性问题是：电流经和容许、电光切换、光容许和输入，分别对应电流经设计、量子阱设计、波导结构的光场设计。
半导体激光器的结构研究改良就就是指这三个方面展开大大优化，发展了非对称长波导结构，优化了量子阱、量子线、量子点以及光子晶体结构，增进了激光器技术水平的大大提高，使得激光器的输出功率、电光切换效率更加低，光束质量更加好，可靠性更加低。高质量的外延材料生长技术半导体激光器外延材料生长技术是半导体激光器研制的核心。
高质量的外延材料生长工艺，极低的表面缺失密度和体内缺失密度是构建高峰值功率输入的前提和确保。另外杂质在半导体材料中也起着最重要的起到，可以说道，没准确的半导体外延掺入工艺，就没高性能的量子阱激光器。主要通过对掺入曲线的优化，增加光场与轻掺入区域的重合，从而增加权利载流子吸取损耗，提升器件的切换效率。
腔面处置技术大功率半导体激光器的应用于一般来说拒绝激光器输出功率很高且有较好的可靠性。而制约半导体激光器输出功率的主要瓶颈就是低功率密度下腔面发育造成的光学灾变受损(COMD)。在半导体激光器的腔面区域，由于解理、水解等原因不存在大量的缺失，这些缺失沦为光吸收中心和非电磁辐射填充中心。
光吸收产生的热量使腔面温度增高，温度增高导致带上隙增大，因而在腔面区域与激光器内部区域之间构成了一个电势梯度，引领载流子向腔面区域流经，更加最重要的是带上隙增大后带间光吸收强化，两者都会使腔面区域的载流子浓度增高，强化非电磁辐射填充，使腔面温度更进一步增高。另一方面，大功率半导体激光器较小的电流流经也强化了腔面非电磁辐射填充。正是光吸收、非电磁辐射填充、温度增高和带上隙增大的正反馈过程使腔面的温度较慢增高，最后腔面焚毁，即再次发生COMD。腔面问题的根源是腔面缺失的不存在，还包括腔面的污染、水解、材料缺失等，这些腔面缺失首先影响COMD的一致性，其次不会造成器件的发育，影响长年稳定性。
一般可以通过各种腔面腐蚀和镀膜技术，增加或者避免腔面的缺失和水解，减少腔面的光吸收，提升腔面的COMD值，从而构建高峰值功率输入。构建PCB技术激光芯片的加热和PCB是生产大功率半导体激光器的重要环节，而激光器光束整形和激光构建技术是取得千瓦、万瓦级激光的主要途径。由于大功率半导体激光器的输出功率低、闪烁面积小，其工作时产生的热量密度很高，这对PCB结构和工艺明确提出了更高拒绝。高功率半导体激光器PCB关键技术研究，就就是指热、PCB材料、形变方面著手，解决问题热管理和热应力的PCB设计，构建必要半导体激光器向高功率、高亮度、高可靠性发展的技术突破。
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